Transistor NPN Epitaxial de Silicio para RF de Potencia

Este transistor NPN epitaxial de silicio está diseñado para aplicaciones de amplificación de radiofrecuencia de potencia con alta eficiencia energética. Opera a una frecuencia máxima de 30 MHz con estabilidad térmica y eléctrica garantizada por su estructura epitaxial de silicio. La tensión de colector de 13.5 Vcc permite integrarlo en etapas de salida de transmisores y amplificadores de RF que requieren manejo de señales de alta potencia. Su encapsulado T-40E proporciona disipación térmica eficiente para operación continua en entornos industriales exigentes.

Características Principales

• Transistor NPN epitaxial de silicio para baja distorsión armónica
• Frecuencia máxima de operación: 30 MHz
• Tensión de colector: 13.5 Vcc
• Potencia máxima de salida: 70 W
• Encapsulado formato T-40E para montaje industrial
• Optimizado para amplificación RF de potencia

Especificaciones Técnicas