Este transistor MOSFET de doble puerta con canal N está diseñado para aplicaciones que demandan alta eficiencia y control preciso del flujo eléctrico. Su arquitectura de doble puerta permite una modulación superior de la señal, resultando ideal para circuitos de radiofrecuencia y comunicaciones. Opera eficientemente en bandas de frecuencia de hasta 105 MHz, garantizando estabilidad térmica y eléctrica en condiciones exigentes. El encapsulado TO-18 ofrece una construcción compacta y mecánicamente resistente, facilitando su integración en equipos profesionales de telecomunicaciones, instrumentación y sistemas de RF.

Características Principales

• Transistor MOSFET de doble puerta para alta eficiencia
• Canal N para control preciso del flujo eléctrico
• Frecuencia máxima de operación de 105 MHz
• Encapsulado TO-18 compacto y resistente
• Alto aislamiento con tecnología avanzada de interfaz
• Diseño optimizado para aplicaciones de alta frecuencia

Especificaciones Técnicas